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    Microchip VP2450 VP2450N8-G P-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 160 mA 1,6 W, 3-Pin SOT-89

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    177-9737
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    VP2450N8-G
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    Microchip
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    Datenblätter und Anleitungen


    Rechtliche Anforderungen

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    Informationen zur Produktgruppe

    Dieser (normally off) Transistor mit niedrigem Schwellenwert als Anreicherungstyp verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.

    Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
    Niedrige Anforderung an die Stromversorgung
    Einfacher Parallelbetrieb
    Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
    Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
    Ausgezeichnete Temperaturstabilität
    Integrierte Source-Drain-Diode


    Technische Daten des gezeigten Artikels

    EigenschaftWert
    Channel-TypP
    Dauer-Drainstrom max.160 mA
    Drain-Source-Spannung max.500 V
    GehäusegrößeSOT-89
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.35 Ω
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.3.5V
    Gate-Schwellenspannung min.1.5V
    Verlustleistung max.1,6 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.20 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Breite2.6mm
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Länge4.6mm
    Betriebstemperatur min.–55 °C
    SerieVP2450
    Höhe1.6mm
    Diodendurchschlagsspannung1.8V
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