Microchip DN3135 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Entleerung 350 V / 72 mA 1.3 W, 3-Pin SOT-89

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RS Best.-Nr.:
649-459
Herst. Teile-Nr.:
DN3135N8-G
Hersteller:
Microchip
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Marke

Microchip

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

72mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

350V

Gehäusegröße

SOT-89

Serie

DN3135

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

35Ω

Channel-Modus

Entleerung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Durchlassspannung Vf

1.8V

Maximale Verlustleistung Pd

1.3W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.3 mm

Länge

2.9mm

Normen/Zulassungen

Lead (Pb)-free/RoHS

Höhe

1.12mm

Automobilstandard

Nein

Der Microchip-Transistor mit niedriger Schwelle im Depletion-Modus (normalerweise eingeschaltet) nutzt eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Siliziumgate-Fertigungsprozess. Diese Kombination ergibt ein Bauelement mit der Leistungsbelastbarkeitt von Bipolartransistoren und der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten, die MOS-Bauelementen eigen sind. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von thermischem Durchgehen und thermisch induziertem Sekundärdurchbruch ist. Vertikale DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkungsanwendungen, bei denen eine hohe Durchbruchspannung, eine hohe Eingangsimpedanz, eine niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erforderlich sind.

Hohe Eingangsimpedanz

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Geringer Durchlasswiderstand

Keine sekundäre Durchschaltung

Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage

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