Microchip DN3135 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Entleerung 350 V / 72 mA 1.3 W, 3-Pin SOT-89
- RS Best.-Nr.:
- 649-459
- Herst. Teile-Nr.:
- DN3135N8-G
- Hersteller:
- Microchip
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 72mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 350V | |
| Serie | DN3135 | |
| Gehäusegröße | SOT-89 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 35Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.3W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.3 mm | |
| Normen/Zulassungen | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| Länge | 2.9mm | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 72mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 350V | ||
Serie DN3135 | ||
Gehäusegröße SOT-89 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 35Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.3W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.3 mm | ||
Normen/Zulassungen Lead (Pb)-free/RoHS | ||
Länge 2.9mm | ||
Höhe 1.12mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Microchip-Transistor mit niedriger Schwelle im Depletion-Modus (normalerweise eingeschaltet) nutzt eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Siliziumgate-Fertigungsprozess. Diese Kombination ergibt ein Bauelement mit der Leistungsbelastbarkeitt von Bipolartransistoren und der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten, die MOS-Bauelementen eigen sind. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von thermischem Durchgehen und thermisch induziertem Sekundärdurchbruch ist. Vertikale DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkungsanwendungen, bei denen eine hohe Durchbruchspannung, eine hohe Eingangsimpedanz, eine niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erforderlich sind.
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Durchlasswiderstand
Keine sekundäre Durchschaltung
Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage
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