Microchip TP2510 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 480 mA, 3-Pin SOT-89
- RS Best.-Nr.:
- 333-254
- Herst. Teile-Nr.:
- TP2510N8-G
- Hersteller:
- Microchip
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 480mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | TP2510 | |
| Gehäusegröße | SOT-89 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 480mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie TP2510 | ||
Gehäusegröße SOT-89 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MOSFET von Microchip ist ein Enhancement-Mode-Transistor mit niedrigem Schwellenwert, der eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren verwendet.
Diese Kombination führt zu einem Bauelement mit den Leistungsfähigkeiten bipolarer Transistoren und der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten
mOS-Bauteilen inhärent ist. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist.
2V maximale untere Schwelle
Hohe Eingangsimpedanz
125 pF maximale niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand
Frei von Sekundärpannen
Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage
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