Microchip VN0104 N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 350 mA 1 W, 3-Pin TO-92

Alle MOSFET anzeigen
Bestandsabfrage leider nicht möglich
RS Best.-Nr.:
177-9704
Herst. Teile-Nr.:
VN0104N3-G
Hersteller:
Microchip
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Microchip

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

350 mA

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

TO-92

Serie

VN0104

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

5 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.4V

Gate-Schwellenspannung min.

0.8V

Verlustleistung max.

1 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

20 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.06mm

Länge

5.08mm

Diodendurchschlagsspannung

1.8V

Höhe

5.33mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
TW
Dieser (normally off) Transistor als Anreicherungstyp verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.

Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedrige Anforderung an die Stromversorgung
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Ausgezeichnete Temperaturstabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung

Verwandte Links