Microchip VP0550 N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 90 V / 350 mA 1

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RS Best.-Nr.:
598-726
Herst. Teile-Nr.:
VP0550N3-G
Hersteller:
Microchip
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Marke

Microchip

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

N-Kanal vertikaler DMOS-FET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

350mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

90V

Serie

VP0550

Gehäusegröße

TO-92-3 (TO-226AA)

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3Ω

Channel-Modus

Erweiterungsmodus

Durchlassspannung Vf

1.8V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Höhe

5.33mm

Breite

4.19 mm

Länge

5.08mm

Automobilstandard

Nein

Der vertikale MOSFET mit P-Kanal-Enhancement-Modus von Microchip ist ein niedrigschwelliger, normalerweise ausgeschalteter Transistor, der eine vertikale DMOS-Struktur und den bewährten Fertigungsprozess mit Silizium-Gate von Supertex nutzt. Diese Kombination bietet die Leistungsummantelungsfunktionen von bipolaren Transistoren sowie die hohe Eingangsimpedanz und den positiven Temperaturkoeffizienten, die MOS-Geräten innewohnen. Wie bei allen MOS-Strukturen ist dieses Gerät frei von thermischer Flucht und thermisch induziertem Sekundärbruch, was eine robuste und zuverlässige Leistung gewährleistet.

Keine sekundäre Durchschaltung

Geringer Stromverbrauch

Einfache Parallelschaltung

Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung

Ausgezeichnete thermische Stabilität

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