Microchip N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 90 V / 350 mA 1 W,
- RS Best.-Nr.:
- 598-595
- Herst. Teile-Nr.:
- VP3203N8-G
- Hersteller:
- Microchip
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal vertikaler DMOS-FET | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 350mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 90V | |
| Gehäusegröße | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.19 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Länge | 5.08mm | |
| Höhe | 5.33mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal vertikaler DMOS-FET | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 350mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 90V | ||
Gehäusegröße TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.19 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Länge 5.08mm | ||
Höhe 5.33mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der vertikale MOSFET mit P-Kanal-Enhancement-Modus von Microchip ist ein niedrigschwelliger, normalerweise ausgeschalteter Transistor, der eine vertikale DMOS-Struktur und den bewährten Fertigungsprozess mit Silizium-Gate von Supertex nutzt. Diese Kombination bietet die Leistungsummantelungsfunktionen von bipolaren Transistoren sowie die hohe Eingangsimpedanz und den positiven Temperaturkoeffizienten, die MOS-Geräten innewohnen. Wie bei allen MOS-Strukturen ist dieses Gerät frei von thermischer Flucht und thermisch induziertem Sekundärbruch, was eine robuste und zuverlässige Leistung gewährleistet.
Keine sekundäre Durchschaltung
Geringer Stromverbrauch
Einfache Parallelschaltung
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
Ausgezeichnete thermische Stabilität
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