ROHM QH8MA3 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V 2,5 W, 8-Pin TSMT

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RS Best.-Nr.:
172-0438P
Herst. Teile-Nr.:
QH8MA3TCR
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N, P

Dauer-Drainstrom max.

5,5 A (P-Kanal), 7 A (N-Kanal)

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

QH8MA3

Gehäusegröße

TSMT

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

46 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5 (N Channel) V, 2.5 (P Channel) V

Gate-Schwellenspannung min.

1 (N Channel) V, 1 (P Channel) V

Verlustleistung max.

2,5 W

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

3.1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Breite

2.5mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

7,2 nC @ 10 V

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

0.8mm

Der Middle Power-MOSFET QH8MA3 ist für Schaltnetzteilanwendungen geeignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand.
Kleines SMD-Gehäuse (TSMT8)
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei

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