ROHM TT8J3 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,5 A 1,25 W, 8-Pin TSST
- RS Best.-Nr.:
- 171-9917P
- Herst. Teile-Nr.:
- TT8J3TR
- Hersteller:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 171-9917P
- Herst. Teile-Nr.:
- TT8J3TR
- Hersteller:
- ROHM
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | TSST | |
| Serie | TT8J3 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 160 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 1,25 W | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 4,8 nC @ 5 V | |
| Länge | 3.1mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 1.7mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 2,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße TSST | ||
Serie TT8J3 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 160 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 1,25 W | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 4,8 nC @ 5 V | ||
Länge 3.1mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 1.7mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 0.8mm | ||
Der TT8J3 ist ein MOSFET in komplexer Bauweise (Pch+Pch) für Schaltanwendungen.
Niedriger Betriebswiderstand.
Kleines SMD-Gehäuse.
Bleifreie Leitungsbeschichtung.
Halogenfrei.
Anwendungen:
POS (Point-of-Sales-System)
Kleines SMD-Gehäuse.
Bleifreie Leitungsbeschichtung.
Halogenfrei.
Anwendungen:
POS (Point-of-Sales-System)
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