ROHM VT6M1 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 100 mA 150 mW, 6-Pin VMT

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RS Best.-Nr.:
124-6899
Herst. Teile-Nr.:
VT6M1T2CR
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N, P

Dauer-Drainstrom max.

100 mA

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

VMT

Serie

VT6M1

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

18 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1V

Gate-Schwellenspannung min.

0.3V

Verlustleistung max.

150 mW

Transistor-Konfiguration

Zwei Sockel

Gate-Source Spannung max.

-10 V, -8 V, +10 V, +8 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

1.02mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Länge

1.24mm

Höhe

0.5mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Ursprungsland:
KR

Zweifach, N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET, ROHM



MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor

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