ROHM RD3P050SN N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 5 A 15 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 172-0433
Herst. Teile-Nr.:: RD3P050SNTL1
Hersteller:: ROHM

ROHM RD3P050SN N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 5 A 15 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Herst. Teile-Nr.:: RD3P050SNTL1
Hersteller:: ROHM

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	5 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	RD3P050SN
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	205 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	15 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	6.4mm
Länge	6.8mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	14 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	2.3mm

ROHM RD3P050SN N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 5 A 15 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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