ROHM RW4E065GN Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 30 V / 10.7 A 104 W, 7-Pin HEML1616L7
- RS Best.-Nr.:
- 249-1136
- Herst. Teile-Nr.:
- RW4E065GNTCL1
- Hersteller:
- ROHM
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | HEML1616L7 | |
| Serie | RW4E065GN | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.3nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße HEML1616L7 | ||
Serie RW4E065GN | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.3nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Rohm N-Kanal Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und schneller Schaltgeschwindigkeit, geeignet für Schaltanwendungen, hat eine 30-V-Drain-Source-Spannung und einen 6,5-A-Drain-Strom, der Verpackungsart aufklebt.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Pb-frei Beschichtung
RoHS-konform
Halogenfrei
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