STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 1000 V / 85 A 70 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 151-902
- Herst. Teile-Nr.:
- STD2NK100Z
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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| 100 - 240 | € 1,684 | € 16,84 |
| 250 - 490 | € 1,564 | € 15,64 |
| 500 - 990 | € 1,44 | € 14,40 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 151-902
- Herst. Teile-Nr.:
- STD2NK100Z
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 85A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1000V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 70W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 159°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 85A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1000V | ||
Serie SuperMESH | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 70W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 159°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist ein Hochspannungsgerät mit zenergeschütztem N-Kanal, das mit der SuperMESH-Technologie entwickelt wurde, einer Optimierung des etablierten PowerMESH. Neben einer erheblichen Reduzierung des Widerstands im eingeschalteten Zustand ist dieses Gerät so konzipiert, dass eine hohe dv/dt-Fähigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen gewährleistet ist.
Gate-Ladung minimiert
Sehr niedrige innere Kapazität
Zener-geschützt
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