Infineon BSC035N10NS5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 100 A 156 W, 8-Pin TDSON

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
171-1985
Herst. Teile-Nr.:
BSC035N10NS5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

BSC035N10NS5

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.82V

Maximale Verlustleistung Pd

156W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

70nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.49mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon BSC035N10NS5 ist der 100-V-OptiMOS 5-Leistungs-MOSFET, der für synchrone Gleichrichtung optimiert ist und sich ideal für hohe Schaltfrequenzen eignet.

Höchste Systemeffizienz

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Weniger Parallelschaltung erforderlich

Erhöhte Leistungsdichte

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