Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 96 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
171-1961
Herst. Teile-Nr.:
BSC014N04LSATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

61nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

96W

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

J-STD20 and JESD22

Breite

6.15mm

Höhe

1.1mm

Länge

5.15mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon BSC014N04LS ist der OptiMOS-Leistungs-MOSFET mit PG-TDSON-8-Gehäuse. Es hat ein perfektes Schaltverhalten für schnelle Schaltanwendungen.

Sehr niedriger Betriebswiderstand RDS(on)

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Überlegener Wärmewiderstand

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