Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 70 A 50 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 222-4661
- Herst. Teile-Nr.:
- IPC70N04S5L4R2ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 222-4661
- Herst. Teile-Nr.:
- IPC70N04S5L4R2ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 70A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 5.25mm | |
| Breite | 5.58mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 70A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 5.25mm | ||
Breite 5.58mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
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