Infineon IRFR5305PBF Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
170-2262
Herst. Teile-Nr.:
IRFR5305TRLPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

31A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IRFR5305PBF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

65mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

63nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.39mm

Breite

7.49 mm

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

RoHS: nicht konform / nicht kompatibel

Der Infineon IRFR5305 ist der 55-V-HEXFET-Leistungs-MOSFET mit einem P-Kanal in einem D-Pak-Gehäuse. Das D-Pak wurde für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Schwall-Lötverfahren entwickelt.

Advanced Prozesstechnologie

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Vollständig lawinengeprüft

Ohne Leitung

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