Infineon IRFR5305PBF Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 170-2262
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR5305TRLPBF
- Hersteller:
- Infineon
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- 170-2262
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR5305TRLPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 31A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | IRFR5305PBF | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie IRFR5305PBF | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.39mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS: nicht konform / nicht kompatibel
Der Infineon IRFR5305 ist der 55-V-HEXFET-Leistungs-MOSFET mit einem P-Kanal in einem D-Pak-Gehäuse. Das D-Pak wurde für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Schwall-Lötverfahren entwickelt.
Advanced Prozesstechnologie
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Vollständig lawinengeprüft
Ohne Leitung
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