IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 600 V / 66 A 960 W, 4-Pin SOT-227
- RS Best.-Nr.:
- 168-4759
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFN80N60P3
- Hersteller:
- IXYS
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- IXFN80N60P3
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 66A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | HiperFET, Polar3 | |
| Gehäusegröße | SOT-227 | |
| Montageart | Panel | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 70mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 960W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 190nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 25.07mm | |
| Länge | 38.23mm | |
| Höhe | 9.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 66A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie HiperFET, Polar3 | ||
Gehäusegröße SOT-227 | ||
Montageart Panel | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 70mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 960W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 190nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 25.07mm | ||
Länge 38.23mm | ||
Höhe 9.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- US
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET-Transistoren, IXYS
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