IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 1 kV / 24 A 568 W, 4-Pin SOT-227

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 10 Stück)*

€ 441,28

(ohne MwSt.)

€ 529,54

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 80 Einheit(en) mit Versand ab 26. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
10 +€ 44,128€ 441,28

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
146-1694
Herst. Teile-Nr.:
IXFN24N100
Hersteller:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1kV

Serie

HiperFET

Gehäusegröße

SOT-227

Montageart

Panel

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

390mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

568W

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

267nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

25.42 mm

Höhe

9.6mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

38.23mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS-Serie HiperFET™


MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Verwandte Links