IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 28 A 695 W, 3-Pin TO-3PN

RS Best.-Nr.:: 168-4739
Herst. Teile-Nr.:: IXFQ28N60P3
Hersteller:: IXYS

IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 28 A 695 W, 3-Pin TO-3PN

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Herst. Teile-Nr.:: IXFQ28N60P3
Hersteller:: IXYS

IXFQ28N60P3, IXFH28N60P3, Polar3 HiperFET, Power MOSFET, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	28 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	TO-3PN
Serie	HiperFET, Polar3
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	260 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Verlustleistung max.	695 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Breite	4.9mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	15.8mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	50 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	20.3mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 28 A 695 W, 3-Pin TO-3PN

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™

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