IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 98 A 1,3 kW, 3-Pin PLUS247

RS Best.-Nr.:: 168-4749
Herst. Teile-Nr.:: IXFX98N50P3
Hersteller:: IXYS

IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 98 A 1,3 kW, 3-Pin PLUS247

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Herst. Teile-Nr.:: IXFX98N50P3
Hersteller:: IXYS

IXFK98N50P3, IXFX98N50P3, Polar3 HiperFET, Power MOSFET, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	98 A
Drain-Source-Spannung max.	500 V
Serie	HiperFET, Polar3
Gehäusegröße	PLUS247
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	50 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Verlustleistung max.	1,3 kW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	197 nC @ 10 V
Länge	16.13mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	5.21mm
Höhe	21.34mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 98 A 1,3 kW, 3-Pin PLUS247

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™

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