IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 32 A 500 W, 3-Pin ISOPLUS247

RS Best.-Nr.:: 168-4710
Herst. Teile-Nr.:: IXFR48N60Q3
Hersteller:: IXYS

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 32 A 500 W, 3-Pin ISOPLUS247

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RS Best.-Nr.:: 168-4710
Herst. Teile-Nr.:: IXFR48N60Q3
Hersteller:: IXYS

IXFR48N60Q3, HiperFET, Power MOSFET, Q3-Class, N-Channel Enhancement Mode, Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	32 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Serie	HiperFET, Q3-Class
Gehäusegröße	ISOPLUS247
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	154 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	6.5V
Verlustleistung max.	500 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Breite	5.21mm
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	16.13mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	140 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	21.34mm

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 32 A 500 W, 3-Pin ISOPLUS247

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3

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