ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 500 mA 200 mW, 3-Pin SC-59

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RS Best.-Nr.:
168-2041
Herst. Teile-Nr.:
RHK005N03T146
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

500 mA

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

SC-59

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

550 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

200 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Breite

1.8mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

3mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Automobilstandard

AEC-Q101

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1.2mm

MOSFETs werden als Geräte mit extrem niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich als mobile Ausrüstung für geringen Stromverbrauch. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.

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