Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 360 mA 500 mW, 3-Pin SC-59

RS Best.-Nr.:: 170-2356
Herst. Teile-Nr.:: BSR316PH6327XTSA1
Hersteller:: Infineon

Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 360 mA 500 mW, 3-Pin SC-59

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RS Best.-Nr.:: 170-2356
Herst. Teile-Nr.:: BSR316PH6327XTSA1
Hersteller:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	360 mA
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	SIPMOS®
Gehäusegröße	SC-59
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	2,2 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	500 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	20 V
Länge	3mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	5,3 nC @ 10 V
Breite	1.6mm
Diodendurchschlagsspannung	1.1V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.1mm
Automobilstandard	AEC-Q101

Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 360 mA 500 mW, 3-Pin SC-59

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