Infineon OptiMOS™ 2 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3,8 A 500 mW, 3-Pin SOT-346 (SC-59)

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RS Best.-Nr.:
826-9386
Herst. Teile-Nr.:
BSR202NL6327HTSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

3,8 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Serie

OptiMOS™ 2

Gehäusegröße

SOT-346 (SC-59)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

33 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1.2V

Gate-Schwellenspannung min.

0.7V

Verlustleistung max.

500 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-12 V, +12 V

Länge

3mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

5,8 nC bei 4,5 V

Breite

1.6mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.1mm

Leistungs-MOSFET-Familie Infineon OptiMOS™2


Die Infineon-OptiMOS™-2-N-Kanalproduktfamilie bietet den branchenweit niedrigsten Durchlasswiderstand innerhalb ihrer Spannungsgruppe. Die Power MOSFET-Serien können in vielen Anwendungen verwendet werden, etwa Hochfrequenztelekommunikation, Datenkommunikation, Solarbereich, Niederspannungsantriebe sowie Servernetzteile. Die OptiMOS 2-Produktfamilie ist ab 20 V erhältlich und bietet eine Auswahl von verschiedenen Gehäusearten.


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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