Infineon OptiMOS™ 2 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3,8 A 500 mW, 3-Pin SOT-346 (SC-59)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
826-9386
Herst. Teile-Nr.:
BSR202NL6327HTSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

3,8 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Serie

OptiMOS™ 2

Gehäusegröße

SOT-346 (SC-59)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

33 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1.2V

Gate-Schwellenspannung min.

0.7V

Verlustleistung max.

500 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-12 V, +12 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

1.6mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

5,8 nC bei 4,5 V

Länge

3mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

1.1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

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