onsemi PowerTrench N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 13 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 166-2606
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS6670A
- Hersteller:
- onsemi
Zwischensumme (2500 Stück, auf einer Rolle mit 2500)*
€ 807,50
(ohne MwSt.)
€ 970,00
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | € 0,323 | € 807,50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 166-2606
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS6670A
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Durchlassspannung Vf | 700mV | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Länge | 5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Durchlassspannung Vf 700mV | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.5mm | ||
Länge 5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal 8-Pin SOIC