onsemi PowerTrench N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 12.5 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

Alle MOSFET anzeigen
Lieferengpass
Aufgrund eines weltweiten Versorgungsengpasses können wir keine Angaben machen, wann dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
RS Best.-Nr.:
166-1691
Herst. Teile-Nr.:
FDS6680A
Hersteller:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

PowerTrench

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.7V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5mm

Breite

4mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.5mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.