onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,4 A 460 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
166-1642
Herst. Teile-Nr.:
FDN361BN
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

1,4 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

SOT-23

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

160 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

460 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

2.92mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

1.4mm

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

1,3 nC @ 4,5 V

Höhe

0.94mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor



MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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