onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 50 A 153 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
166-2073
Herst. Teile-Nr.:
FDD8444L-F085
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

50 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

10,7 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

153 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

46 nC bei 5 V

Breite

6.22mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

6.73mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

2.39mm

Ursprungsland:
US

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 20 A bis 59,9 A, Fairchild Semiconductor



MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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