onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 169 A 500 W, 8-Pin PSOF
- RS Best.-Nr.:
- 166-2163
- Herst. Teile-Nr.:
- FDBL86210-F085
- Hersteller:
- onsemi
Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*
€ 8.104,00
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2000 + | € 4,052 | € 8.104,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 166-2163
- Herst. Teile-Nr.:
- FDBL86210-F085
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 169 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 150 V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | PSOF | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 17,5 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 500 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 70 nC @ 10 V | |
| Länge | 10.48mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 9.9mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 169 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 150 V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße PSOF | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 17,5 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 500 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 70 nC @ 10 V | ||
Länge 10.48mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 9.9mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 2.4mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- KR
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