Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.8 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 166-1014
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP372NH6327XTSA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*
€ 269,00
(ohne MwSt.)
€ 323,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 19. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | € 0,269 | € 269,00 |
| 2000 - 2000 | € 0,255 | € 255,00 |
| 3000 + | € 0,239 | € 239,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 166-1014
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP372NH6327XTSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 270mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.8W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.5mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 270mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.8W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.5mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
OptiMOS™ Kleinsignal-MOSFETs von Infineon
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 4-Pin SOT-223
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 4-Pin SOT-223
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 3-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal 4-Pin SOT-223
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal 4-Pin SOT-223