Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.8 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

€ 269,00

(ohne MwSt.)

€ 323,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 24. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1000 - 1000€ 0,269€ 269,00
2000 - 2000€ 0,255€ 255,00
3000 +€ 0,239€ 239,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
166-1014
Herst. Teile-Nr.:
BSP372NH6327XTSA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

270mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.8W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.5mm

Höhe

1.6mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.5 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
MY

OptiMOS™ Kleinsignal-MOSFETs von Infineon


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links