Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.2 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223

RS Best.-Nr.:: 124-8756
Herst. Teile-Nr.:: BSP296NH6327XTSA1
Hersteller:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.2 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 124-8756
Herst. Teile-Nr.:: BSP296NH6327XTSA1
Hersteller:: Infineon

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Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	1.2A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	SOT-223
	Serie	OptiMOS
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	800mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Verlustleistung Pd	1.8W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	4.5nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	0.85V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	6.5mm
	Höhe	1.6mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	3.5mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.2A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße SOT-223
	Serie OptiMOS
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 800mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Verlustleistung Pd 1.8W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.5nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 0.85V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 6.5mm
	Höhe 1.6mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 3.5mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Ursprungsland:: CN

Infineon OptiMOS Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 1,2 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSP296NH6327XTSA1

Dieser MOSFET ist ein SMD-Leistungstransistor, der für das Schalten und Steuern in Automobil- und Industrieumgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet als N-Kanal-Verbesserungsgerät, das sich für Anwendungen eignet, die eine moderate Strombelastbarkeit und eine hohe Spannungsfestigkeit erfordern, während er gleichzeitig einem breiten Umgebungstemperaturbereich für anspruchsvolle Umgebungen standhält.

Merkmale und Vorteile:

• 100 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 1,2 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt bescheidene Lastströme
• 800 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die typische Gate-Ladung von 4,5 nC ermöglicht schnellere Schaltübergänge
• Maximale Verlustleistung von 1,8 W sorgt für thermische Belastung in kompakten Baugruppen
• Gate-Toleranz von ±20 V unterstützt gängige Gate-Drive-Spannungen

Anwendungsbereiche

• Geeignet für Kfz-Steuermodule, die eine AEC‐Q101-Qualifikation erfordern
• Ideal für DC/DC-Wandlerstufen in kompakten Stromversorgungen
• Wird mit Motortreibern mit geringem Stromverbrauch in Hilfssystemen verwendet
• Kann für Batteriemanagement und Stromverteilungsaufgaben verwendet werden
• Nützlich für die Schaltregelung für tragbare und eingebettete Geräte

Welchen Gehäusetyp sollte ich für das Leiterplatten-Layout erwarten?

Er wird in einem SOT‐223-Gehäuse für die Oberflächenmontage mit vier Stiften geliefert, das eine einseitige Wärmeleitung und eine einfache Integration in die Grundfläche der Leiterplatte ermöglicht.

Wie verhält sich die thermische Leistung bei hohen Temperaturen?

Das Gerät ist für den Betrieb in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C ausgelegt, wobei die Verlustleistung auf 1,8 W begrenzt ist, um eine thermische Überbelastung im Dauerbetrieb zu verhindern.

Welche Gate-Drive-Beschränkungen müssen bei der Konstruktion beachtet werden?

Die maximal zulässige Gate-Quellenspannung beträgt 20 V, daher sollten Gate-Treiber so konfiguriert werden, dass sie diesen Wert nicht überschreiten, um das Gate-Oxid zu schützen.

Welcher Parameter wirkt sich am stärksten auf die Schalteffizienz bei schnellen PWM-Anwendungen aus?

Die typische Gate-Ladung von 4,5 nC beeinflusst direkt die Schaltverluste und den Antriebsenergiebedarf bei schnellen Zustandswechseln.