Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 300 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 752-7773
Distrelec-Artikelnummer:: 304-45-298
Herst. Teile-Nr.:: 2N7002H6327XTSA2
Hersteller:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 300 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23

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Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	300mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	OptiMOS
	Gehäusegröße	SOT-23
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	4Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	0.4nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	500mW
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	1mm
	Länge	2.9mm
	Breite	1.3mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 300mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie OptiMOS
	Gehäusegröße SOT-23
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 4Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.4nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 500mW
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 1mm
	Länge 2.9mm
	Breite 1.3mm
	Automobilstandard Nein

MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 4 Ω maximaler Drain-Source-Widerstand – 2N7002H6327XTSA2

Dieser Kleinsignal-N-Kanal-Verbesserungs-MOSFET wurde für Hochgeschwindigkeitsschaltungen in oberflächenmontierten Anwendungen entwickelt. Er arbeitet in einem breiten Umgebungsbereich und bietet ein kompaktes Schaltelement für Schwachstromkreise, bei denen eine kontrollierte Leitungsführung und eine schnelle Gate-Reaktion erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 60 V Drain-Source ermöglicht Schaltvorgänge mit höherer Spannung
• Maximale Rds(on) von 4 Ω reduziert Leitungsverluste bei geringen Strömen
• 300 mA kontinuierlicher Ableitstrom unterstützt Kleinsignallasten
• Eine typische Gate-Ladung von 0,4 nC sorgt für schnelle Schaltübergänge
• 20 V Gate-Source-Toleranz ermöglicht flexible Antriebsspannungen
• 500 mW Verlustleistung verwalten thermische Belastung in kompakten Layouts

Anwendungsbereiche

• Geeignet für Pegelverschiebung und Signalumschaltung in Steuergeräten
• Ideal für batteriebetriebene Sensor-Schnittstellenschaltkreise
• Wird mit kleinen Relais und Transistor-Ersatzschaltung verwendet
• Kann für Schutzschaltungen in Unterhaltungselektronik verwendet werden
• Geeignet für kompakte Power-Management-Module auf Leiterplatten

Welche Gehäusetypen sollte ich für die Planung des Platinenlayouts erwarten?

Er wird in einem SOT-23-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, was die Platzierung auf dichten Boards erleichtert.

Wie wirkt sich die Temperatur auf die Betriebsfähigkeit aus?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in rauen Umgebungen und Umgebungen mit hohen Temperaturen.

Welche mechanischen Abmessungen sind für den Bauteilabstand wichtig?

Die Komponente misst 2,9 x 1,3 x 1 mm, was bei der Berechnung des Abstands und der Platzierung benachbarter Komponenten nützlich ist.

Wie viele Anschlüsse sind für das Schematisieren und Verlegen verfügbar?

Das Gerät verfügt über drei Pins, die mit der einkanaligen MOSFET-Topologie übereinstimmen, um ein einfaches Routing zu ermöglichen.