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    Infineon OptiMOS 2N7002H6327XTSA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23

    RS Best.-Nr.:
    752-7773
    Herst. Teile-Nr.:
    2N7002H6327XTSA2
    Hersteller:
    Infineon
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    Infineon

    Rechtliche Anforderungen


    Informationen zur Produktgruppe

    OptiMOS™ Kleinsignal-MOSFETs von Infineon



    MOSFET-Transistoren, Infineon


    Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

    Technische Daten des gezeigten Artikels

    EigenschaftWert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.300 mA
    Drain-Source-Spannung max.60 V
    GehäusegrößeSOT-23
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.4 Ω
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.2.5V
    Gate-Schwellenspannung min.1.5V
    Verlustleistung max.500 mW
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Transistor-WerkstoffSi
    Breite1.3mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs0,4 nC @ 10 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Länge2.9mm
    Höhe1mm
    Betriebstemperatur min.-55 °C
    SerieOptiMOS
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