Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 300 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 124-9035
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002H6327XTSA2
- Hersteller:
- Infineon
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 124-9035
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002H6327XTSA2
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 300mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 1.3 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 300mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 1.3 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
OptiMOS™ Kleinsignal-MOSFETs von Infineon
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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