Infineon DirectFET, HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 375 A 125 W, 15-Pin DirectFET

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RS Best.-Nr.:
165-8086
Herst. Teile-Nr.:
IRF7749L1TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

375A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

DirectFET

Serie

DirectFET, HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

15

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

200nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

0.49mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

9.15mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MX

Leistungs-MOSFET DirectFET®, Infineon


Das DirectFET®-Leistungspaket ist eine SMD-Leistungs-MOSFET-Gehäusetechnologie. DirectFET®-MOSFETs ist eine Lösung zur Verringerung von Energieverlusten bei gleichzeitigem Schrumpfen der Design-Abmessungen bei fortschrittlichen Schaltanwendungen.

Geringster Widerstand der Branche des jeweiligen Profils

Extrem geringer Gehäusewiderstand zur Minimierung von Leitungsverlusten.

Die äußerst effiziente zweiseitige Kühlung erhöht Leistungsdichte, Kosten und Zuverlässigkeit.

Flache Bauweise, nur 0,7 mm

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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