Infineon DirectFET, HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 86 A 89 W DirectFET ISOMETRISCH

RS Best.-Nr.:: 130-0948
Herst. Teile-Nr.:: IRF6648TRPBF
Hersteller:: Infineon

Infineon DirectFET, HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 86 A 89 W DirectFET ISOMETRISCH

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RS Best.-Nr.:: 130-0948
Herst. Teile-Nr.:: IRF6648TRPBF
Hersteller:: Infineon

IRF6648PbF, IRF6648TRPbF, DirectFET Power MOSFET 60V
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	86 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	DirectFET ISOMETRISCH
Serie	DirectFET, HEXFET
Montage-Typ	SMD
Drain-Source-Widerstand max.	7 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.9V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	89 W
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	5.05mm
Länge	6.35mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	36 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.	–40 °C
Höhe	0.5mm
Diodendurchschlagsspannung	1.3V

Infineon DirectFET, HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 86 A 89 W DirectFET ISOMETRISCH

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Leistungs-MOSFET DirectFET®, Infineon

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