Infineon DirectFET, HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 86 A 89 W, 4-Pin MN
- RS Best.-Nr.:
- 130-0948
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6648TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 86A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | DirectFET, HEXFET | |
| Gehäusegröße | MN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 89W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.35mm | |
| Höhe | 0.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 86A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie DirectFET, HEXFET | ||
Gehäusegröße MN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 89W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.35mm | ||
Höhe 0.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET DirectFET®, Infineon
Das DirectFET®-Leistungspaket ist eine SMD-Leistungs-MOSFET-Gehäusetechnologie. DirectFET®-MOSFETs ist eine Lösung zur Verringerung von Energieverlusten bei gleichzeitigem Schrumpfen der Design-Abmessungen bei fortschrittlichen Schaltanwendungen.
Geringster Widerstand der Branche des jeweiligen Profils
Extrem geringer Gehäusewiderstand zur Minimierung von Leitungsverlusten.
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Flache Bauweise, nur 0,7 mm
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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