Vishay SiHF9Z14S Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4.7 A 43 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 165-6090
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHF9Z14S-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
- SIHF9Z14S-GE3
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- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | SiHF9Z14S | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 500mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 43W | |
| Durchlassspannung Vf | -5.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie SiHF9Z14S | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 500mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 43W | ||
Durchlassspannung Vf -5.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.83mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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