Vishay SiHF640L Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 18 A 130 W, 3-Pin TO-262

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RS Best.-Nr.:
165-6089
Herst. Teile-Nr.:
SIHF640L-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-262

Serie

SiHF640L

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

180mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

70nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

130W

Durchlassspannung Vf

2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

11.3mm

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.83 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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