Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 2.8 A 15.6 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 151-3200
- Herst. Teile-Nr.:
- PMPB215ENEAX
- Hersteller:
- Nexperia
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- PMPB215ENEAX
- Hersteller:
- Nexperia
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 445mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.8nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 15.6W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.65mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 445mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.8nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 15.6W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.65mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
N-Kanal-Trench-MOSFET (80 V), N-Kanal-Verbesserungsmodus Feldeffekttransistor (FET) in einem drahtlosen DFN2020MD-6 (SOT1220)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie und mittlerer Leistung.
Trench MOSFET-TechnologieKleines und ultraflaches kabelloses SMD-Kunststoffgehäuse: 2 x 2 x 0,65 mmFreiliegender Ableitungs-Pad für hervorragende WärmeleitungVerzinnte 100 % lötbare Seitenpads für optische LötstellenprüfungenAEC-Q101-qualifiziert