onsemi NTMFS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 136 A 127 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 202-5712
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFSC004N08MC
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 136A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Serie | NTMFS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 43.4nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 127W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, MSL1 | |
| Höhe | 6.25mm | |
| Länge | 5.1mm | |
| Breite | 950μm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 136A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Serie NTMFS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 43.4nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 127W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, MSL1 | ||
Höhe 6.25mm | ||
Länge 5.1mm | ||
Breite 950μm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor Power Single N-Kanal Leistungs-MOSFET läuft mit 136 Ampere und 80 Volt. Er kann in der Ring-FET/Lastschaltung, Synchrongleichrichter, DC/DC-Wandlungsanwendungen verwendet werden.
Advanced doppelseitige gekühlte Verpackung
Bleifrei
RoHS-konform
MSL1 robuste Gehäuseausführung