onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 61 A 78.1 W, 8-Pin DFN

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RS Best.-Nr.:
229-6475
Herst. Teile-Nr.:
NTMFSC010N08M7
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

61A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

DFN

Serie

NTMFS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

38nC

Maximale Verlustleistung Pd

78.1W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

5.1mm

Breite

0.95 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.25mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor N-Kanal-MOSFET wird mit einem Advanced Power Trench Prozess hergestellt. Fortschritte in Silizium- und Dual-Cooler-Gehäusetechnologien wurden kombiniert, um den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand zu bieten und gleichzeitig eine ausgezeichnete Schaltleistung durch extrem niedrigen Abzweigwiderstand zum Umgebungstemperaturwiderstand zu gewährleisten.

Verbesserte thermische Eigenschaften des Gehäuses

Verringert Leitungsverlust

Verbesserte Systemeffizienz

Das Gehäusematerial erfüllt die neuesten Anforderungen

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