onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 61 A 78.1 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 229-6475
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFSC010N08M7
- Hersteller:
- onsemi
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 229-6475
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFSC010N08M7
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 61A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | NTMFS | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 78.1W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.25mm | |
| Breite | 0.95 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 61A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie NTMFS | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 78.1W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.25mm | ||
Breite 0.95 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor N-Kanal-MOSFET wird mit einem Advanced Power Trench Prozess hergestellt. Fortschritte in Silizium- und Dual-Cooler-Gehäusetechnologien wurden kombiniert, um den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand zu bieten und gleichzeitig eine ausgezeichnete Schaltleistung durch extrem niedrigen Abzweigwiderstand zum Umgebungstemperaturwiderstand zu gewährleisten.
Verbesserte thermische Eigenschaften des Gehäuses
Verringert Leitungsverlust
Verbesserte Systemeffizienz
Das Gehäusematerial erfüllt die neuesten Anforderungen