onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 61 A 78.1 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 229-6474
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFSC010N08M7
- Hersteller:
- onsemi
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 229-6474
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFSC010N08M7
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- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 61A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Serie | NTMFS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 38nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 78.1W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 0.95 mm | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Länge | 6.25mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 61A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Serie NTMFS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 78.1W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 0.95 mm | ||
Höhe 5.1mm | ||
Länge 6.25mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor N-Kanal-MOSFET wird mit einem Advanced Power Trench Prozess hergestellt. Fortschritte in Silizium- und Dual-Cooler-Gehäusetechnologien wurden kombiniert, um den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand zu bieten und gleichzeitig eine ausgezeichnete Schaltleistung durch extrem niedrigen Abzweigwiderstand zum Umgebungstemperaturwiderstand zu gewährleisten.
Verbesserte thermische Eigenschaften des Gehäuses
Verringert Leitungsverlust
Verbesserte Systemeffizienz
Das Gehäusematerial erfüllt die neuesten Anforderungen