Nexperia N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 260 mA 4032 mW, 8-Pin DFN1010B-6

N-Kanal-MOSFETs, 40 V – 60 V, MOSFETs mit Logik- und Standardpegel in einer Vielzahl von Gehäusen. Entdecken Sie unsere robusten und einfach zu verwenden MOSFETs im Bereich von 40 V bis 60 V, die Teil unseres massiven Portfolios von MOSFET-Bauelementen sind. Sie eignen sich perfekt für platz- und leistungskritische Anwendungen und bieten exzellente Schaltperformance und einen erstklassigen, sicheren Betriebsbereich (SOA).

Zweifach-N-Kanal Trench-MOSFET für 60 V, Zweifach-N-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem extrem kleinen DFN1010B-6 (SOT1216) SMD-Kunststoffgehäuse ohne Kabel mit Trench MOSFET-Technologie.

Kompatibel mit Logik-Ebene
Extrem kleines und ultradünnes SMD-Kunststoffgehäuse ohne Kabel: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Trench MOSFET-Technologie
Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): > 2 kV HBM
Relaistreiber
Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
Low-Side-Lastschalter
Schalten von Stromkreisen