Nexperia Isoliert Trench MOSFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 860 mA 410 mW, 6-Pin SC-88

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RS Best.-Nr.:
725-8394
Herst. Teile-Nr.:
PMGD290XN,115
Hersteller:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

860mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SC-88

Serie

Trench MOSFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

350mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

410mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.72nC

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Höhe

1mm

Länge

2.2mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

Zweifach-N-Kanal MOSFET, Nexperia


MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors


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