Nexperia Isoliert Trench MOSFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 350 mA 445 mW, 6-Pin SC-88

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865-2182
Herst. Teile-Nr.:
NX3008NBKS,115
Hersteller:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

350mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

Trench MOSFET

Gehäusegröße

SC-88

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.8Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.52nC

Betriebstemperatur min.

150°C

Maximale Verlustleistung Pd

445mW

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Höhe

1mm

Breite

1.35 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.2mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Zweifach-N-Kanal MOSFET, Nexperia


MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors


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