IXYS HiperFET N-Kanal, Schraub MOSFET 650 V / 145 A 1,04 kW, 4-Pin SOT-227

RS Best.-Nr.:: 146-4398
Distrelec-Artikelnummer:: 302-53-364
Herst. Teile-Nr.:: IXFN150N65X2
Hersteller:: IXYS

IXYS HiperFET N-Kanal, Schraub MOSFET 650 V / 145 A 1,04 kW, 4-Pin SOT-227

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Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	145 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	SOT-227
Serie	HiperFET
Montage-Typ	Schraubmontage
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	17 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3.5V
Verlustleistung max.	1,04 kW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±30 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	335 @ 10 V nC
Länge	38.23mm
Breite	25.07mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	9.6mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.4V

IXYS HiperFET N-Kanal, Schraub MOSFET 650 V / 145 A 1,04 kW, 4-Pin SOT-227

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