IXYS HiperFET N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 60 A 780 W, 3-Pin TO-268HV

IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS), ein globaler Hersteller von Leistungshalbleitern und integrierten Schaltkreisen (ICs) für Anwendungen in den Bereichen Energiewirtschaft, Energiemanagement, Transport, Medizin und Motorsteuerung, gibt eine Erweiterung der Ultra-Junction-Power-MOSFET-Produktlinie bekannt: 650-V-Power-MOSFETs der Klasse X2 mit schnellen Gehäusedioden. Mit Widerständen im eingeschalteten Zustand von nicht mehr als 17 Milliohm und Bemessungsstrom zwischen 22 A und 150 A sind diese Geräte optimal für resonante Leistungsumwandlungsanwendungen mit weichem Schaltverhalten. Die schnellen intrinsischen HiPerFET™-Gehäusedioden der MOSFETs zeigen starke Soft-Recovery-Eigenschaften und minimieren elektromagnetische Störungen (EMI), insbesondere in Halb- oder Vollbrückentopologien. Mit der niedrigen Sperrverzögerungsladung und -zeit können die Gehäusedioden verwendet werden, um sicherzustellen, dass alle Energieformen während der Hochgeschwindigkeitsschaltung entfernt werden, um einen Geräteausfall zu vermeiden und hohe Effizienz zu erzielen. Wie andere Ultra-Junction-MOSFETs von IXYS wurden auch diese neuen Geräte unter Verwendung eines Ladungskompensationsprinzips und einer proprietären Prozesstechnologie entwickelt, was zu Leistungs-MOSFETs mit deutlich reduziertem Widerstand in eingeschaltetem Zustand und deutlich reduzierter Gate-Ladung führt. Sie verfügen außerdem über eine überlegene dv/dt-Leistung und sind für Stoßentladung ausgelegt. Dank des positiven Temperaturkoeffzienten des Durchlasswiderstands können sie parallel betrieben werden, um höhere Stromanforderungen zu erfüllen. Sie eignen sich für Anwendungen wie Resonanznetzteile, Hochdruckentlastungs-(HID)-Lampenvorschaltgeräte, AC- und DC-Motorantriebe, DC/DC-Wandler, Robotik und Servosteuerung, Akkuladegeräte, 3-stufige Solarwechselrichter und LED-Beleuchtung. Diese neuen 650-V-X2-Leistungs-MOSFETs mit HiPerFET™-Gehäusedioden sind in den folgenden internationalen Standardgrößen erhältlich: TO-220, TO-263, SOT-227, TO-247, PLUS247, TO-264, und PLUS264. Einige Beispiele für Teilenummern sind IXFA22N65X2, IXFH46N65X2, IXFK120N65X2 und IXFN150N65X2 mit Drain-Stromstärken von 22 A, 34 A, 120 A und 145 A.

Niedriger RDS (EIN) und QGSchnelle Gehäusediodedv/dt-RobustheitFür Stoßentladung ausgelegtNiedrige GehäuseinduktivitätInternationale StandardpaketeResonante NetzteileHochdruckentlastungs-(HID)-LampenvorschaltgerätAC- und DC-MotorantriebeDC/DC-KonverterRobotik und ServosteuerungAkkuladegeräte3-stufige SolarwechselrichterLED-BeleuchtungUnbemannte Luftfahrzeuge (UAVs)Höhere EffizienzHohe LeistungsdichteEinfache MontagePlatzsparend