IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 60 A 780 W, 3-Pin TO-268

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RS Best.-Nr.:
146-4235
Herst. Teile-Nr.:
IXFT60N65X2HV
Hersteller:
IXYS
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Marke

IXYS

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-268

Serie

HiperFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

52mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

108nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

780W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.4V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

5.1mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

15.15 mm

Länge

16.05mm

Automobilstandard

Nein

Niedriger RDS(ON) und Qg

Fast-Body-Diode

dv/dt Robustheit

Für Stoßentladung ausgelegt

Niedrige Gehäuseinduktivität

Gehäuse nach internationaler Norm

Resonanznetzteile

Starter für HID-Lampe (High Intensity Discharge)

AC- und DC-Motorantriebe

DC/DC-Konverter

Robotik und Servosteuerung

Akkuladegeräte

3-stufige Solarwechselrichter

LED-Beleuchtung

Unbemannte Luftfahrzeuge (UAVs)

Höhere Effizienz

Hohe Leistungsdichte

Einfache Montage

Platzersparnis

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