Taiwan Semiconductor Gemeinsamer Drain TSM6968D N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 6.5 A 1.04 W, 8-Pin

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Aufgrund einer herstellerseitigen Produktionseinstellung wissen wir nicht, ob dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
RS Best.-Nr.:
146-2235
Herst. Teile-Nr.:
TSM6968DCA RVG
Hersteller:
Taiwan Semiconductor
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Taiwan Semiconductor

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

TSSOP

Serie

TSM6968D

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

40mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Gate-Source-spannung max Vgs

-12V, +12V

Maximale Verlustleistung Pd

1.04W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Gemeinsamer Drain

Länge

4.5mm

Breite

3.1mm

Normen/Zulassungen

ESD Protected 2KV

Höhe

1.05mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Zweifacher N-Kanal Leistungs-MOSFET, Taiwan Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Taiwan Semiconductor


Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.