onsemi PowerTrench N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 211 A 263 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 145-5484
- Herst. Teile-Nr.:
- FDP032N08B_F102
- Hersteller:
- onsemi
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
€ 122,35
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 + | € 2,447 | € 122,35 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 145-5484
- Herst. Teile-Nr.:
- FDP032N08B_F102
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 211 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 80 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3,3 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V | |
| Verlustleistung max. | 263 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 4.672mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 111 nC @ 10 V | |
| Höhe | 15.215mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 211 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 80 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie PowerTrench | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 3,3 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.5V | ||
Verlustleistung max. 263 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 4.672mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 111 nC @ 10 V | ||
Höhe 15.215mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- US
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