Toshiba U-MOSVIII-H N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 56 A 32 W, 8-Pin TSON

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RS Best.-Nr.:
133-2816P
Herst. Teile-Nr.:
TPN6R003NL,LQ(S
Hersteller:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

56 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

TSON

Serie

U-MOSVIII-H

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

8 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.3V

Gate-Schwellenspannung min.

1.3V

Verlustleistung max.

32 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Länge

3.1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

3.1mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

17 nC @ 10 V

Höhe

0.85mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V


MOSFET-Transistoren, Toshiba

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